2025-11-12 07:39:02
亚汇网注：金正浩是韩国科学技术院（KAIST）电气工程学系的教授，他被广泛认为是将高带宽内存（HighBandwidthMemory，HBM）从概念变为现实的关键人物。在HBM相关的多项关键技术领域，他做出了全球认可的创新研究，包括硅通孔（TSV）、中介层（interposer）、信号线设计（SI）和电源线设计（PI）。在做客YouTube频道节目中，金正浩语出惊人：“在AI时代，权力天平正从GPU转向内存。”他认为，内存将在人工智能时代扮演愈发关键的角色，甚至预测英伟达未来可能收购一家内存公司。此外，他还强调了高带宽闪存（HighBandwidthFlash，HBF）的崛起，预计该技术将在2026年初取得新进展，并于2027至2028年间正式亮相。随着传统硬盘（HDD）行业艰难地向高成本的热辅助磁记录（HAMR）技术转型，近线固态硬盘（NearlineSSD）正凭借其成本效益成为热门替代方案。与此同时，HBF被视为突破AI集群存储容量瓶颈的关键技术。在AI推理时代，内存容量变得至关重要，其中键值缓存（KVCaching）等技术直接影响AI模型的响应速度。因此，金正浩相信HBF将与HBM并驾齐驱，成为下一代主流内存技术。从概念上看，HBF与HBM有相似之处，两者都利用硅通孔（TSV）技术来垂直堆叠多层芯片。但不同的是，HBF基于NAND闪存构建，因此在容量和成本上具备显著优势。金正浩强调，尽管NAND闪存速度慢于DRAM，但其容量可超过后者10倍。通过堆叠成百上千层，HBF能够满足AI模型的巨大存储需求，堪称“HBM的NAND版本”。行业巨头已迅速行动。SanDisk与SK海力士已于2025年8月签署谅解备忘录（MoU），旨在共同制定HBF技术规范并推动标准化。他们的目标是在2026年下半年发布HBF内存样品，首批采用HBF的AI推理系统预计于2027年初问世。值得注意的是，在10月中旬举行的2025年OCP全球峰会上，SK海力士已率先展示了其全新的“AINFamily”存储产品系列，其中就包括采用HBF技术的AINB系列。三星电子也已启动自有HBF产品的早期概念设计工作，希望利用其在高性能存储领域的研发经验，满足数据中心对高带宽闪存日益增长的需求。不过，该项目尚处初期阶段，具体规格和量产时间表均未最终确定。展望未来，金正浩将AI的多层级内存体系比作一个智能图书馆：GPU内的SRAM是桌面笔记，速度最快但容量最小；HBM是旁边的书架，用于快速存取和计算；而HBF则是地下书库，负责存储海量AI知识并持续为HBM输送数据。他预测，未来GPU将同时集成HBM与HBF，形成互补配置，标志着计算与存储融合的新纪元。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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