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贸易战叫停开启中国“芯”路历程?2019年将是中国芯元年

文 / 木筝 2018-05-21 14:28:50 来源:亚汇网

  周末关于中美贸易战终于传出了好消息:中美贸易战停战!

  不过在加大进口农产品、能源,还有知识产权方面的让步,中国终究付出了不小的代价。

  看来打铁还需自身硬!我们必须在接下来的停战期内,努力提高自生的研发能力和技术水平:据外媒消息透露,来自中国的集成电路制造企业中芯国际,已经正式向欧洲半导体设备制造商ASML订购一台1.2亿美元价格的EUV光刻机。

  存储芯片的全球格局

  存储器不仅是我国进口集成电路的大头,而且在全球半导体市场占有举足轻重的地位。

  以2016年为例,世界半导体产业销售收入为4197亿美元,其中存储器芯片为1200亿美元左右,占全球半导体市场的30%,是仅次于逻辑电路的第二大产品。

  而在存储器这个领域,韩国人是毫无疑问的全球霸主。

  在DRAM领域(也即是手机里的1G,2G,4G….内存),韩国拥有压倒性优势,三星+海力士占了全球份额80%;

  在NAND FLASH领域(也就是手机里的32G,64G,128G…..内存),三星+海力士也占了全球份额50%-60%

  韩国的三星和海力士,也凭借着在存储器领域的出色表现,成功把韩国送进了世界半导体强国的行列。

  2017年全球半导体排行榜Top 10(来源:Gartner)

  从Gartner发布的数据看,2017年全球半导体行业前10大企业中,凭借在存储器产业的垄断地位,韩国的三星与SK海力士的排名上升至第一和第三。

  三星半导体更是在2017年把垄断了25年榜首宝座的因特尔扒了下来,成为世界第一大半导体公司。

  韩国的人口只占全球的0.7%,在半导体领域,不只是存储器,如果再算上三星的手机处理器的话,他们拿下了全球半导体市场的20%左右,超过了日本,欧洲和中国,可以说半导体产业是韩国人20多年前赌对了国运。

  存储器主要分为DRAM和FLASH,在2016年,市场容量DARM为大约414亿美元, NAND FLASH 大约为346亿美元,还有个市场份额比较小的Nor Flash市场,市场空间大约33亿美元左右。

  2017年,DRAM市场将达到720亿美元的规模,DRAM预计将成为2017年半导体行业最大的单一产品类别,超出NAND闪存市场(498亿美元)222亿美元。

  中国的“芯”路历程

  今年中兴断芯的危机,引发了一场全民大反思,为什么中国缺芯?其实在芯片方面,即使很多核心科学技术方面远超中国的前苏联也远远落后于西方国家。

  其实“中国芯”不是第一次进入公众视野了,上一次高峰在2003年前后。当时都说搞IC的将来都是金领。上一波“中国芯”集中在2000年前后爆发不是没有原因的:中国市场的自身的需求以及政府的扶持。

  2003年前后中国的集成电路市场上大大小小玩家一堆,杭州有士兰微,上海有上海贝岭,华虹NEC,北京有中星微,大唐微电子。如果市场应用驱动芯片行业的健康发展,重现硅谷创新完全是可能的。但是那个时候集成电路成为了所谓风口,无数资金涌了进来,充满了各种躁动。

  紧接着2005年凭借摄像头芯片,中星微登陆纳斯达克。中星微电子应该是国内第一个登陆纳斯达克的芯片股,然而中星微上市后,公司很快就蜕变成一个国企式伪科技企业,2015年中星微黯然退市。白白错过了中国移动互联网爆发的十年。

  直到2006年陈进的汉芯事件公之于众,芯片热潮才慢慢退去。

  长江存储的逆袭

  说长江存储,还得从武汉新芯说起。

武汉新芯是武汉的集成电路制造企业,这家企业成立还是政府背景,是湖北省和武汉市下决心进军集成电路制造领域的产物。

  2006 武汉新芯成立

  2008年9月 为美国Spansion生产NAND Flash 闪存

  2010年 订单数量急剧下降,不得不寻求出售

  2013年 导入了兆易创新的NOR FLASH业务

  2014年11月 成立国家集成电路大基金

  2016年3月 投资240亿美元打造一个世界级的半导体存储企业,集中精力研究生产NANDFLASH和DRAM

  2016年7月 紫光集团参与成立长江储存公司,武汉新芯成为长江存储的全资子公司

  2017年1月 紫光集团进一步投资300亿美元建设半导体存储基地,主要生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。

  目前长江存储的重心放在3D NAND flash的开发上面,同时也在推进20/18nm的DRAM开发。

  根据长江存储 CEO 杨士宁介绍,长江存储正全力推进64 层 3D NAND ,估计2019年底能实现量产。

  目前韩国三星已经在2017年量产64层 NAND,可以看出中国和韩国的技术差距在2年,2年看似很短,其实在竞争激烈瞬息万变的市场,已经是极大的差距了。

  不仅是技术上比不上,现在三星和海力士又在疯狂投资建厂制造价格周期。

  2019年将是中国芯的生产元年

  2019年,很有可能中国的存储器刚出世,就要面临低价周期开始来临的局面,同时由于技术上比韩国差,还会处于售价和利润率也比韩国人低的情况。抗韩将是长期的进程。

  在包括存储器在内的芯片行业是一个技术密集型产业,制程没人家好,生产效率没人家高,市场就是人家的,中国企业只能跟在后面吃土。

  中国要想实现在芯片行业的逆袭,就要做好长期烧钱,10年不盈利的心理准备,要做好随时被国外设备厂商卡脖子的准备。

  观察中国存储器厂商的研发与产出计划,2019年将是中国存储器产业的生产元年,但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大,短期尚不会撼动全球市场现有格局。

  长期来看,随着中国存储器产品逐步成熟,预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满载,在最乐观的预估下,届时两家合计约有每月25万片的投片规模,可能将开始影响全球DRAM市场的供给。另一方面,长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片,不排除长江存储完成64层产品开发后,可能将进行大规模的投片,进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。

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