2025-07-25 23:01:28
这款BiCS9TLC是铠侠双轨NAND制程战略的关键一步：通过导入CBA技术铠侠解耦NAND存储单元阵列与外围CMOS电路的制造，在BiCS8后铠侠将通过BiCS10探索更高堆叠与更大容量、BiCS9则基于现有阵列制程和更新的外围芯片实现出色性价比。BiCS9家族的阵列部分基于112层BiCS5或218层BiCS8，不过铠侠此次出样的TLCNAND被称为120层BiCS5，应属于一种变体。相较于此前的162层BiCS6512GbTLC，新品BiCS9512GbTLC实现了12%的读取性能提升、61%的写入性能提升、27%的读取能效提升、36%的写入能效提升，通过平面缩放实现8%位密度提升，支持3.6Gb/s接口速率（演示中可达4.8Gb/s）。铠侠表示，其BiCS9512GbTLC旨在支持在中低存储容量中需要高性能和卓越能效的应用，将被用于铠侠的企业级固态硬盘中。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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