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晶飞半导体成功利用自研激光剥离设备实现 12 英寸碳化硅晶圆剥离

文 / 小亚 2025-09-09 23:39:05 来源:亚汇网

这一技术突破解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈,打破了国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断,有利于12英寸SiC晶圆的商业化。而面积更大的SiC晶圆意味着更低的晶边损失和更大规模的一次处理能力,单位芯片成本能较6英寸晶圆降低30%~40%。相关阅读:《广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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