2025-12-01 07:39:02
据报道，三星这次计划展示的HBM4容量为36GB、带宽3.3TB/s，相比上个月展出的36GB、2.4TB/s的HBM4在带宽上得到进一步提升，三星还通过堆叠结构与重新设计接口提升了速度和能效。一位行业人士解释道：“三星在每个通道上应用了硅通孔（TSV）路径的对准信号（TDQS）自动校准技术，从而提高高速区间的信号准确度，针对AI大模型等高流量场景进行了优化”。值得注意的是，三星的对手SK海力士也将在明年2月公开下一代存储技术，有望一并展示单Pin速率达14.4Gb/s的LPDDR6内存，配备基于低压差稳压器（亚汇网注：LDO）的WCK时钟分配架构，可在超高速的情况下保持信号稳定，相比上一代LPDDR5X提升更高。此外，SK海力士还将公开展示GDDR7显存，单Pin速度最高可达48Gb/s，容量24Gb，最大的特点就是可以将通道分成两部分，可同时进行读写操作，面向GPU、AI边缘推理、高分辨率游戏等场景。作为参考，ISSCC2026将在明年2月15日至2月19日在美国旧金山举行，其中的参会者大部分是企业研究人员，因此预计会有大量接近量产的新技术会在大会上首次亮相。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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