2025-12-24 12:02:12
亚汇网附上完整参观视频如下：据CNBC报道及行业分析，英特尔位于亚利桑那州钱德勒的Fab52工厂，无论是在占地规模还是设备先进程度上，均超越了台积电在该州的Fab21一期及建设中的二期设施。Fab52目前已部署了四台ASMLTwinscanNXE系列Low-NAEUV（低数值孔径极紫外）光刻机。值得注意的是，其中包括至少一台NXE:3800E系统，这是ASML目前最高端的Low-NA机型。该设备引入了下一代High-NA光刻机的晶圆处理程序和光源技术，在30mJ/cm?剂量下，每小时晶圆处理量（wph）高达220片。此外，工厂还配备了三台NXE:3600D系统（处理速度160wph）。英特尔在Ocotillo园区规划了至少15台EUV光刻机的安装空间，为未来引入更先进的High-NA设备预留了充足余地。在产能与技术节点的对比中，英特尔Fab52优势明显。台积电Fab21一期主要生产N4和N5工艺芯片，单模块月产能约为20000片晶圆（WSPM）。相比之下，英特尔Fab52专注于更先进的18A（1.8nm及以下）制程，其月产能是台积电的2倍，预计超过40000片。即便台积电具备N3能力的二期工厂完工，英特尔在制程代际和总吞吐量上仍将保持领先或持平。考虑到18A工艺的复杂性远超N4，英特尔在实现这一产能规模背后，实际上承担了更高的技术难度与制造工作量。不过报告指出，尽管硬件参数亮眼，但英特尔在生产节奏上面临挑战。Fab52目前正处于PantherLake处理器的早期生产阶段，使用的是尚未完全成熟的18A技术。英特尔预计，18A的良率要到2027年初才能达到世界级水平。在此之前，为了控制成本和风险，工厂不会强行拉满产量，这意味着部分昂贵的产能将暂时闲置。相反，台积电在美国采用的是已在验证过的成熟工艺，能够迅速实现近100%的产能利用率。这场“先进性”与“成熟度”的博弈，将是未来三年美系芯片制造的关键看点。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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