2025-06-10 14:39:02
SK海力士首席技术官ChaSeonYong在会议发言中表示，延续现有技术平台进一步提升DRAM性能与容量的难度正与日俱增，该企业计划将4F2VG平台和3DDRAM技术应用于10nm或以下级内存，并在结构、材料和组件方面进行创新。4F2VG将传统DRAM中的平面栅极结构调整为垂直方向，可最大限度减少单一数据存储单元的面积占用，同时有助于实现高集成度、高速度和低功耗。在4F2VGDRAM中将以类似NAND闪存的方式使用混合键合技术。ChaSeonYong认为，尽管业界有声音认为3DDRAM的堆叠层数增加意味着成本上升，但这一问题可同通过不断的技术创新来解决。相关阅读：《广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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