2025-05-23 12:02:05
亚汇网援引博文介绍，SK海力士和美光选择1bDRAM作为HBM4的基础技术，而三星大胆押注更先进的1cDRAM，表明三星有信心提升1cDRAM良率。此外还有消息称，三星还考虑在今年底前将华城17号生产线从1zDRAM转为1cDRAM生产，以进一步扩大产能。该媒体指出，三星今年早些时候已在平泽第四园区（P4）启动首条1cDRAM生产线，目标月产能为3万片晶圆。若后续扩建顺利，月产能有望提升至4万片。韩媒ChosunBiz4月报道，三星用于12层HBM4的关键组件——4nm逻辑芯片，已在测试生产中实现超过40%的良率。集邦咨询TrendForce预测，受强劲需求推动，2026年HBM总出货量将突破300亿吉比特，HBM4将在2026年下半年超越HBM3e，成为市场主流解决方案。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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